型号: | 1N5257B |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 33 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 125K |
代理商: | 1N5257B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N5257B _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
1N5257B A0G | 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):58 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 25V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:100°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 |
1N5257B BK | 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):58 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 25V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 |
1N5257B TR | 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):58 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 25V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 |