型号: | 1N5258BAMO |
厂商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 36 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 106K |
代理商: | 1N5258BAMO |
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PDF描述 |
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1N4936 | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
1N2224A | 5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 |
1N5398GP | 1.5 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N5258B-B | 功能描述:稳压二极管 0.5W 36V 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N5258BT | 功能描述:稳压二极管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N5258B-T | 功能描述:稳压二极管 0.5W 36V 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N5258BTA | 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):36V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):70 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 26V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 |
1N5258B-TAP | 功能描述:稳压二极管 36 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |