参数资料
型号: 1N5259B/D8
厂商: GENERAL SEMICONDUCTOR INC
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 39 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH
封装: GLASS, DO-35, 2 PIN
文件页数: 1/3页
文件大小: 97K
代理商: 1N5259B/D8
相关PDF资料
PDF描述
1N5267B 75 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH
1N5241B 11 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH
1N5225-B 3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH
1N5245-B 15 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH
1N5260-B 43 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH
相关代理商/技术参数
参数描述
1N5259B-GPS 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:ZENER DIODE DO35-E2
1N5259BRL 制造商:SynSemi Inc 功能描述:
1N5259BT 功能描述:稳压二极管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
1N5259B-T 功能描述:稳压二极管 0.5A 39V 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
1N5259BTA 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 29V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000