参数资料
型号: 1N5259B136
厂商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 39 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
文件页数: 1/5页
文件大小: 168K
代理商: 1N5259B136
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
1N5259B-A 制造商:Zetex / Diodes Inc 功能描述:Diode Zener Single 39V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Ammo
1N5259B-B 功能描述:稳压二极管 0.5W 39V 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
1N5259B-GPS 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:ZENER DIODE DO35-E2
1N5259BRL 制造商:SynSemi Inc 功能描述:
1N5259BT 功能描述:稳压二极管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel