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参数资料
| 型号： | 1N5261BD2A-JQRS.GCDE |
| 厂商： | SEMELAB LTD |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 47 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | HERMETIC SEALED, CERAMIC, DLCC2 VARIANT A, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 187K |
| 代理商： | 1N5261BD2A-JQRS.GCDE |
500mW ZENER DIODES
1N5221BD2A TO 1N5261BD2A
Semelab
Semelab Limited
Limited
Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB
Document Number 9024
Telephone +44 (0) 1455 556565
Fax +44 (0) 1455 552612
Issue 2
Email: sales@semelab-tt.com
Website: http://www.semelab-tt.com
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MECHANICAL DATA
* The additional contact provides a connection to the lid in the application. Connecting the metal lid to a known electrical potential stops deep
dielectric discharge in space applications; see the Space Weather link www.semelab.co.uk/dlcc2.html on the Semelab web site. Package variant
to be specified at order.
Other Package Outlines may be available – Contact Semelab Sales to Enquire
DLCC2 Variant A (D2A)
PAD 1
ANODE
PAD 2
CATHODE
DIMENSION
mm
Inches
A
5.00
±0.10
0.197
±0.004
B
2.61
±0.10
0.103
±0.004
C
1.08
±0.10
0.043
±0.004
D
1.76
±0.10
0.069
±0.004
DLCC2 Variant B (D2B)
PAD 1
ANODE
PAD 2
CATHODE
PAD 3
LID CONTACT TO ANODE*
DIMENSION
mm
Inches
A
5.00
±0.10
0.197
±0.004
B
2.61
±0.10
0.103
±0.004
C
1.08
±0.10
0.043
±0.004
D
1.76
±0.10
0.069
±0.004
A
B
C
SOLDER PAD LAYOUT D-5A
DIMENSION
mm
Inches
A
6.25
0.246
B
1.70
0.067
C
2.67
0.105
DLCC2/ D-5A MELF OVERLAY
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5261BD2B.DA | 47 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 15KP24CA | 15000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 15KP75C | 15000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 1N4746A | 18 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| 1CZ5V6 | 5.6 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5261BT | 功能描述:稳压二极管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N5261B-T | 功能描述:稳压二极管 500MW 47V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N5261BTA | 功能描述:DIODE ZENER 47V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:105 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 34V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 |
| 1N5261B-TAP | 功能描述:稳压二极管 47 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N5261B-TP | 功能描述:稳压二极管 500mW 47V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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