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参数资料
| 型号： | 1N5262B |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | Voltage regulator diodes |
| 中文描述： | 51 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 封装： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 1N5262B |
1996
Apr
26
3
Philips
Semiconductors
Product
specication
V
oltage
regulator
diodes
1N5225B
to
1N5267B
Per type
Tj =25 °C; unless otherwise specified.
TYPE No.
WORKING
VOLTAGE
VZ (V)(1)
at IZtest
DIFFERENTIAL
RESISTANCE
rdif ()
at IZtest
TEMP. COEFF.
SZ (%/K)
at IZ(2)
TEST
CURRENT
IZtest (mA)
DIODE CAP.
Cd (pF)
at f = 1 MHz;
at VR =0V
REVERSE CURRENT
at REVERSE
VOLTAGE
NON-REPETITIVE PEAK
REVERSE CURRENT
IZSM (A)
tp = 100 s; Tamb =25 °C
IR (A)
VR
(V)
NOM.
MAX.
1N5225B
3.0
1600
0.075
20
450
50
1.0
6.0
1N5226B
3.3
1600
0.070
20
450
25
1.0
6.0
1N5227B
3.6
1700
0.065
20
450
15
1.0
6.0
1N5228B
3.9
1900
0.060
20
450
10
1.0
6.0
1N5229B
4.3
2000
±0.055
20
450
5
1.0
6.0
1N5230B
4.7
1900
±0.030
20
450
5
1.5
6.0
1N5231B
5.1
1600
±0.030
20
300
5
2.0
6.0
1N5232B
5.6
1600
+0.038
20
300
5
3.0
6.0
1N5233B
6.0
1600
+0.038
20
300
5
3.5
6.0
1N5234B
6.2
1000
+0.045
20
200
5
4.0
6.0
1N5235B
6.8
750
+0.050
20
200
3
5.0
6.0
1N5236B
7.5
500
+0.058
20
150
3
6.0
4.0
1N5237B
8.2
500
+0.062
20
150
3
6.5
4.0
1N5238B
8.7
600
+0.065
20
150
3
6.5
3.5
1N5239B
9.1
600
+0.068
20
150
3
7.0
3.0
1N5240B
10
600
+0.075
20
90
3
8.0
3.0
1N5241B
11
600
+0.076
20
85
2
8.4
2.5
1N5242B
12
600
+0.077
20
85
1
9.1
2.5
1N5243B
13
600
+0.079
9.5
80
0.5
9.9
2.5
1N5244B
14
600
+0.082
9.0
80
0.1
10.0
2.0
1N5245B
15
600
+0.082
8.5
75
0.1
11.0
2.0
1N5246B
16
600
+0.083
7.8
75
0.1
12.0
1.5
1N5247B
17
600
+0.084
7.4
75
0.1
13.0
1.5
1N5248B
18
600
+0.085
7.0
70
0.1
14.0
1.5
1N5249B
19
600
+0.086
6.6
70
0.1
14.0
1.5
1N5250B
20
600
+0.086
6.2
60
0.1
15.0
1.5
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