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参数资料
| 型号： | 1N5263B-35 |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 56 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | 1N5263B-35 |
PAGE . 3
STAD-NOV.08.2006
Vz (V)
2.7
3.9
4.3
4.7 5.1 5.6
6.2
6.8
9.1
11
12
15
20
24
5
10
15
20
25
0
Iz
(mA)
10
20
30
40
50
30
FIG. 1 POWER DERATING CURVE
50
0
100
200
300
400
500
100
150
200
250
AMBIENT TEMPERATURE, C
O
POWER
D
ISSIP
A
TION,
m
W
a
tts
Fig.2 BREAKDOWN CHARACTERISTICS
Test Current
Iz=20mA
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5263C-35T/B | 56 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N5263D-35T/R | 56 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N5264B-35B | 60 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N5264B-35T/R | 60 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N5265-35B | 62 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5263B-B | 功能描述:稳压二极管 0.5W 56V 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N5263BDO35 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 |
| 1N5263BRL | 制造商:SynSemi Inc 功能描述: |
| 1N5263BT | 功能描述:稳压二极管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N5263B-T | 功能描述:稳压二极管 0.5W 56V 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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