型号: | 1N5263B-LCC3G4 |
厂商: | SEMELAB LTD |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 56 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC3-4 |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 75K |
代理商: | 1N5263B-LCC3G4 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N5267B-LCC3G4 | 75 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5274B-LCC3G4 | 130 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5278B-LCC3G4 | 170 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5280B-LCC3G4 | 190 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5224B | 2.8 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N5263BRL | 制造商:SynSemi Inc 功能描述: |
1N5263BT | 功能描述:稳压二极管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N5263B-T | 功能描述:稳压二极管 0.5W 56V 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N5263B-T50R | 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):150 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 43V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 基本零件编号:1N5263 标准包装:1 |
1N5263B-TAP | 功能描述:稳压二极管 56 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |