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参数资料
| 型号： | 1N5263B |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | Voltage regulator diodes |
| 中文描述： | 56 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 封装： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 1N5263B |
1996 Apr 26
6
Philips Semiconductors
Product specication
Voltage regulator diodes
1N5225B to 1N5267B
GRAPHICAL DATA
handbook, full pagewidth
101
110
102
103
104
105
MBG930
102
10
1
103
tp (ms)
tp
T
δ =
0.02
0.01
≤0.001
0.75
0.50
0.33
0.20
0.10
0.05
δ = 1
Rth j-a
(K/W)
Fig.2 Thermal resistance from junction to ambient as a function of pulse duration.
Fig.3
Maximum permissible non-repetitive
peak reverse power dissipation
versus duration.
handbook, halfpage
MBG801
103
1
duration (ms)
PZSM
(W)
10
102
101
10
1
(1)
(2)
(1) Tj =25 °C (prior to surge).
(2) Tj = 150 °C (prior to surge).
Fig.4
Forward current as a function of forward
voltage; typical values.
handbook, halfpage
0.5
1.0
250
0
MBG803
125
0.75
VF (V)
IF
(mA)
Tj =25 °C.
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