型号: | 1N5263B |
厂商: | VISHAY TELEFUNKEN |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
封装: | DO-35, 2 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 47K |
代理商: | 1N5263B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1BD009-11310-000-7N | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPST, MOMENTARY, 0.01A, 5VDC, SURFACE MOUNT-STRAIGHT |
1BD380 | 380 MHz - 430 MHz RF TRANSFORMER |
1BD800 | 824 MHz - 894 MHz RF TRANSFORMER |
1BG1800 | 1700 MHz - 1910 MHz RF TRANSFORMER |
1BG836 | 824 MHz - 894 MHz RF TRANSFORMER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N5263B _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
1N5263B A0G | 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):150 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 43V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:100°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 |
1N5263B BK | 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):150 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 43V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 |
1N5263B TR | 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):150 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 43V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 |