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参数资料
| 型号： | 1N5266BAMO |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 68 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 106K |
| 代理商： | 1N5266BAMO |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5361BRL | 27 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N5230BT/R | 4.7 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N4946GP | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N1593A | 10 V, 3.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-4 |
| 1N4241 | 6 V, 10 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5266BDO35 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 68V 500MW DO35 |
| 1N5266BT | 功能描述:稳压二极管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N5266B-T | 功能描述:稳压二极管 500MW 68V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N5266B-TAP | 功能描述:稳压二极管 68 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| 1N5266B-TP | 功能描述:稳压二极管 500mW 68V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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