参数资料
型号: 1N5267B
厂商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: Voltage regulator diodes
中文描述: 75 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
封装: HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
文件页数: 5/7页
文件大小: 37K
代理商: 1N5267B
1996 Apr 26
5
Philips Semiconductors
Product specication
Voltage regulator diodes
1N5225B to 1N5267B
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Device mounted on a printed circuit-board without metallization pad.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth j-tp
thermal resistance from junction to tie-point lead length 10 mm
300
K/W
Rth j-a
thermal resistance from junction to ambient lead length max.; see Fig.2 and note 1
380
K/W
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1N5267B BK 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):75V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):270 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 56V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500
1N5267B TR 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):75V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):270 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 56V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1
1N5267B\D7 功能描述:稳压二极管 75 Volt 0.5 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
1N5267B_T50A 功能描述:稳压二极管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel