型号: | 1N5267BAR1 |
厂商: | STMICROELECTRONICS |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 75 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
文件页数: | 3/5页 |
文件大小: | 124K |
代理商: | 1N5267BAR1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N5267BDO35 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW DO35 |
1N5267BRL | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Diode Zener Single 75V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R |
1N5267BT | 功能描述:稳压二极管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N5267B-T | 功能描述:稳压二极管 500MW 75V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N5267B-TAP | 功能描述:稳压二极管 75 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |