型号: | 1N5275B |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 140 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 117K |
代理商: | 1N5275B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N6120A | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
1SS265T-73 | SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE |
1SR139-600T-64 | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
1SS245T-85 | 0.2 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
1N4150T-87Y | 0.2 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N5275B (DO-35) | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Zener Single 140V 5% 500mW 2-Pin DO-35 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE DO-35 SD - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 500MW 140V DO-35 |
1N5275B TR | 制造商:CENTRAL SEMICONDUCTOR 功能描述:1N Series 500 mW 140 V 200 mA Through Hole Zener Diode - DO-35 |
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1N5275B-E3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Zener Single 140V 5% 480mW 2-Pin DO-35 |
1N5275B-TP | 功能描述:DIODE ZENER 500MW 140V DO-35 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳(标称)(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |