型号: | 1N5335BE3/TR8 |
厂商: | MICROSEMI CORP |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 3.9 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN |
文件页数: | 3/4页 |
文件大小: | 356K |
代理商: | 1N5335BE3/TR8 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N5336A/TR8 | 4.3 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5336C/TR8 | 4.3 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5336DE3/TR8 | 4.3 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5337/TR8 | 4.7 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5338A/TR8 | 5.1 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N5335BG | 功能描述:稳压二极管 3.9V 5W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N5335BRL | 功能描述:稳压二极管 3.9V 5W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N5335BRLG | 功能描述:稳压二极管 3.9V 5W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N5335BTA | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:5 Watt Surmetic 40 Zener Voltage Refulators |
1N5335BTR | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Silicon 5 Watt Zener Diodes |