- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录70127 > 1N5337DE3TR (MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE) 4.7 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 1N5337DE3TR |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 4.7 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | 1N5337DE3TR |
Manufacture Diodes, IGBTs, LED Driver, Small Signal & Analog, RF Power,...verter, Power Modules, RF Transistors, Power Over Ethernet, PoE, PoE IC
keyword
search:
part
number
search:
1 products:
Click part number link below for additional product information.
PartNo
ROHS
PB Free
Qpl
Division
Package
PartType
Data
Sheet
Qual
Data
Distributor
Stock Check
CBU
T-18
Zener Voltage Regulator Diode
Avionics | Backlight Inverters | L-Band Radar | LED Driver | LDMOS & VDMOS | MOSFETs, IGBTs, & Diodes | Pin Diodes | Power
RF Power & Bipolar Transistors | S-Band Radar | SCR | Thyristors | Varacter Diode | WLAN Power Amplifier | Zener Diode | Power
Copyright 2011 Microsemi Corporation. All rights reserved. The Endwave logo is a registered trademark of Endwave Corporation.
file://///blrwnapp002/Sourcing/Automation/Automation_CPR/05162011/MSSD/1N5333B.htm [18-May-2011 10:01:38 AM]
Submit Query
filter criteria
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5342CE3TR | 6.8 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N5345BE3TR | 8.7 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N5346BE3TR | 9.1 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N5346CE3TR | 9.1 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N5347AE3TR | 10 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5337DTR | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Silicon 5 Watt Zener Diodes |
| 1N5337E3/TR12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 4.7V, ? 20% - Tape and Reel |
| 1N5337E3/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18，轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,250 |
| 1N5337E3/TR8 | 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:2 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18，轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,000 |
| 1N5337TR | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Silicon 5 Watt Zener Diodes |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。