| 型号: | 1N5349DE3 |
| 厂商: | MICROSEMI CORP |
| 元件分类: | 齐纳二极管 |
| 英文描述: | 12 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN |
| 文件页数: | 3/4页 |
| 文件大小: | 356K |
| 代理商: | 1N5349DE3 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5350AE3/TR8 | 13 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N5350AE3 | 13 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N5350D/TR8 | 13 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N5350E3 | 13 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N5351A/TR8 | 14 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5349DTR | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Silicon 5 Watt Zener Diodes |
| 1N5349E3/TR12 | 功能描述:DIODE ZENER 12V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 8.6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:3,000 |
| 1N5349E3/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 12V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 8.6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,250 |
| 1N5349E3/TR8 | 功能描述:DIODE ZENER 12V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 8.6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,000 |
| 1N5349TR | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Silicon 5 Watt Zener Diodes |