参数资料
型号: 1N5361BTR
厂商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 27 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
文件页数: 1/1页
文件大小: 29K
代理商: 1N5361BTR
相关PDF资料
PDF描述
1N2809RB 11 V, 50 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-3
1N2815RB 17 V, 50 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-3
1N5341B 6.2 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
1N5340B 6 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
1N5346B 9.1 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
1N5361C/TR12 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 27V, ? 2% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 27V 2% T-18
1N5361C/TR8 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 27V, ? 2% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 27V 2% T-18
1N5361CE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 27V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 19.4V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:3,000
1N5361CE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 27V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 19.4V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,250
1N5361CE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 27V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 19.4V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,000