型号: | 1N5362BE3/TR8 |
厂商: | MICROSEMI CORP |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 28 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN |
文件页数: | 4/4页 |
文件大小: | 356K |
代理商: | 1N5362BE3/TR8 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
1N5362DE3/TR8 | 28 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5362E3 | 28 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5363BE3/TR8 | 30 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5363E3 | 30 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5364AE3 | 33 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
1N5362BG | 功能描述:稳压二极管 28V 5W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N5362BG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:ZENER DIODE 5W 28V 017AA |
1N5362BRL | 功能描述:稳压二极管 28V 5W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N5362BRLG | 功能描述:稳压二极管 28V 5W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N5362B-T | 功能描述:稳压二极管 5.0W 28V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |