型号: | 1N5363D |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 30 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 125K |
代理商: | 1N5363D |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N5363 | 30 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5364D | 33 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5366A | 39 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5366B | 39 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5367 | 43 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N5363D/TR8 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE T-18 - Tape and Reel |
1N5363E3/TR12 | 功能描述:DIODE ZENER 30V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 21.6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:3,000 |
1N5363E3/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 30V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 21.6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,250 |
1N5363E3/TR8 | 功能描述:DIODE ZENER 30V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 21.6V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,000 |
1N5364/TR12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 33V, ? 20% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 33V 20% T-18 |