型号: | 1N5365BTR |
厂商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 36 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 35K |
代理商: | 1N5365BTR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1.5CE120ABK | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
1N6301ATR | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N5365C/TR8 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 36V, ? 2% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 36V 2% T-18 |
1N5365CE3/TR12 | 功能描述:DIODE ZENER 36V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):36V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):11 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 25.9V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:3,000 |
1N5365CE3/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 36V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):36V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):11 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 25.9V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,250 |
1N5365CE3/TR8 | 功能描述:DIODE ZENER 36V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):36V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):11 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 25.9V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,000 |