| 型号: | 1N5367DE3TR |
| 厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类: | 参考电压二极管 |
| 英文描述: | 43 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN |
| 文件页数: | 3/4页 |
| 文件大小: | 188K |
| 代理商: | 1N5367DE3TR |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5381DE3TR | 130 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N6626D3B-JQRS.GCDE | 1.75 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N5342BT/R13 | 6.8 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-201AE |
| 1N5348BT/R13 | 11 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-201AE |
| 1.5SMCJ110CT/R7 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5367E3/TR12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 43V, ? 20% - Tape and Reel |
| 1N5367E3/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 43V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):43V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):20 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 31V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,250 |
| 1N5367E3/TR8 | 功能描述:DIODE ZENER 43V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):43V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):20 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 31V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,000 |
| 1N5368/TR12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 47V, ? 20% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 47V 20% T-18 |
| 1N5368/TR8 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 47V, ? 20% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 47V 20% T-18 |