| 型号: | 1N5370B-T |
| 厂商: | DIODES INC |
| 元件分类: | 齐纳二极管 |
| 英文描述: | 56 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 文件页数: | 1/1页 |
| 文件大小: | 110K |
| 代理商: | 1N5370B-T |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5371B-A | 60 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N5373B-A | 68 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N5374B-A | 75 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N5375B-A | 82 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N5375B-T | 82 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5370C/TR12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 56V, ? 2% - Tape and Reel |
| 1N5370C/TR8 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 56V, ? 2% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 56V 2% T-18 |
| 1N5370CE3/TR12 | 功能描述:DIODE ZENER 56V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):56V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):35 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 40.3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:3,000 |
| 1N5370CE3/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 56V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):56V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):35 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 40.3V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18,轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,250 |
| 1N5370CE3/TR8 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 56V 2% T-18 |