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参数资料
| 型号： | 1N5376AAMP |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 87 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | 1N5376AAMP |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5376BTR | 87 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
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| 1N5379AAMP | 110 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N5381BTR | 130 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 1N5376AE3/TR12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 87V, ? 10% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 87V 10% T-18 |
| 1N5376AE3/TR13 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 87V, ? 10% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 87V 10% T-18 |
| 1N5376AE3/TR8 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 87V, ? 10% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 87V 10% T-18 |
| 1N5376B | 功能描述:DIODE ZENER 87V 5W T-18 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳（标称）(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
| 1N5376B/TR12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 87V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 87V 5% T-18 |
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