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参数资料
| 型号： | 1N5381BTR |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 130 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | 1N5381BTR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N2839B | 105 V, 50 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-3 |
| 1N3337B | 75 V, 50 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-5 |
| 1N4863TR-RECU | 0.2 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 1N270BK | 0.1 A, 80 V, GERMANIUM, SIGNAL DIODE, DO-7 |
| 1N6271A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5381C/TR12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 130V, ? 2% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 130V 2% T-18 |
| 1N5381C/TR8 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 130V, ? 2% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 130V 2% T-18 |
| 1N5381CE3/TR12 | 功能描述:DIODE ZENER 130V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:130V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:190 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 93.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18，轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:3,000 |
| 1N5381CE3/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 130V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:130V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:190 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 93.6V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18，轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,250 |
| 1N5381CE3/TR8 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 130V, ? 2% - Tape and Reel |
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