型号: | 1N5383BE3TR |
厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 150 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN |
文件页数: | 3/4页 |
文件大小: | 188K |
代理商: | 1N5383BE3TR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N5383CE3TR | 150 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5383DE3TR | 150 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5384BE3TR | 160 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5384CE3TR | 160 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
1N5385BE3TR | 170 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N5383BG | 功能描述:稳压二极管 150V 5W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N5383BRL | 功能描述:稳压二极管 150V 5W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N5383BRLG | 功能描述:稳压二极管 150V 5W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
1N5383C/TR12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 150V 2% T-18 |
1N5383C/TR8 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 150V, ? 2% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 150V 2% T-18 |