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参数资料
| 型号： | 1N5383BTR |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 150 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | 1N5383BTR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5395GPTR | 1.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N5396GPAMP | 1.5 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N5399GPTR | 1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N5418X | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N5525DCO | 6.2 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5383C/TR12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 150V 2% T-18 |
| 1N5383C/TR8 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 150V, ? 2% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 150V 2% T-18 |
| 1N5383CE3/TR12 | 功能描述:DIODE ZENER 150V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:150V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:330 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 108V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18，轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:3,000 |
| 1N5383CE3/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 150V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:150V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:330 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 108V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18，轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,250 |
| 1N5383CE3/TR8 | 功能描述:DIODE ZENER 150V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:150V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:330 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 108V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18，轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,000 |
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