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参数资料
| 型号： | 1N5387BTRLEADFREE |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 190 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | 1N5387BTRLEADFREE |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5388BTRLEADFREE | 200 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N5392TRLEADFREE | 1.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41 |
| 1N5393LEADFREE | 1.5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 |
| 1N5417BKLEADFREE | 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N5417TRLEADFREE | 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5387C/TR12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 190V, ? 2% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 190V 2% T-18 |
| 1N5387C/TR8 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 190V, ? 2% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 190V 2% T-18 |
| 1N5387CE3/TR12 | 功能描述:DIODE ZENER 190V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:190V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:450 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 137V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18，轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:3,000 |
| 1N5387CE3/TR13 | 功能描述:DIODE ZENER 190V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:190V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:450 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 137V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:T-18，轴向 供应商器件封装:T-18 标准包装:1,250 |
| 1N5387CE3/TR8 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 190V, ? 2% - Tape and Reel |
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