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参数资料
| 型号： | 1N5400-G |
| 厂商： | Comchip Technology |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 80K |
| 描述： | RECTIFIER GP 50V 3.0A DO27 |
| 标准包装： | 1,200 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 50V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 3A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 50V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-201AD，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-201AD |
| 包装： | 带盒（TB） |
        Page 2 QW-BG015 REV:A A v e r a g e F o r w a r d C u r r e n t , ( A ) Ambient Temperature, (°C) General Purpose Silicon Rectifiers Fig.3 - Maximum Non-repetitive Forward Surge Curren Per Bridge Element P e a k F o r w a r d S u r g e C u r r e n t , ( A ) Number of Cycles at 60Hz Fig.2 - Typical Instantaneous Forward I n s t a n t a n e o u s F o r w a r d C u r r e n t , ( A ) Instantaneous Forward Voltage, (V) Rating and Characteristic Curves (1N5400-G Thru. 1N5408-G) Fig.1 - Maximum Forward Current Derating Curve 0 0 1.0 2.0 3.0 25 50 75 100 125 150 Single phase half wave 60Hz 0.1 0.01 1 10 100 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 Resistive or induct ive load 0.375” (9.5mm) lead length 8.3ms s ingle h alf s ine-wave (JEDEC M ethod) Characteristics Per Bridge Element 10 50 100 200 TJ = 25°C Pulse w idth=300us 1% D uty cy cle 1 10 100 0 40 80 100 0 140 0.01 Percent o f Rated P eak Reverse V oltage, (V) 0.1 1.0 10.0 12 60 20 I n s t a n t a n e o u s R e v e r s e C u r r e n t , ( μ A ) TJ=25°C Fig.4 - Typical Reverse Characteristics Per Bridge Element TJ=100°C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EBA22DTKH | CONN EDGECARD 44POS DIP .125 SLD |
| EEM22DSUS | CONN EDGECARD 44POS DIP .156 SLD |
| BRL3225T100K | INDUCTOR 10UH 900MA 1210 SMD |
| RW2-483.3D/H3/B | CONV DC/DC 2W 36-72VIN +/-3.3V |
| TC4428CPA | IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8-DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5400G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:500 |
| 1N5400G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:500 |
| 1N5400G R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 50V 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
| 1N5400G R0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,250 |
| 1N5400G_05 | 制造商:EIC 制造商全称:EIC discrete Semiconductors 功能描述:GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON RECTIFIERS |
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