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参数资料
| 型号： | 1N5400G-13 |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | 1N5400G-13 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5407G-A | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N5408G-13 | 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5401G-A | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N4936AMP | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N4936GP | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5400G-B | 功能描述:整流器 Vr/50V Io/3A BULK RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N5400G-E | 制造商:GULFSEMI 制造商全称:Gulf Semiconductor 功能描述:GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER VOLTAGE: 50V to 1000V CURRENT: 3.0A |
| 1N5400GHA0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:500 |
| 1N5400GHB0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:500 |
| 1N5400GHR0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,250 |
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