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参数资料
| 型号： | 1N5402-E3/54 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | 1N5402-E3/54 |
Document Number: 88516
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Revision: 04-Nov-09
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
1
General Purpose Plastic Rectifier
1N5400 thru 1N5408
Vishay General Semiconductor
FEATURES
Low forward voltage drop
Low leakage current
High forward surge capability
Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
For use in general purpose rectification of power supplies,
inverters, converters and freewheeling diodes application.
Note
These devices are not AEC-Q101 qualified.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-201AD, molded epoxy body
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade
Terminals:
Matte
tin
plated
leads,
solderable
per
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test
Polarity:
Color band denotes cathode end
PRIMARY CHARACTERISTICS
IF(AV)
3.0 A
VRRM
50 V to 1000 V
IFSM
200 A
IR
5.0 μA
VF
1.2 V
TJ max.
150 °C
DO-201AD
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
1N5400 1N5401 1N5402
1N5403
1N5404 1N5405
1N5406
1N5407
1N5408
UNIT
Maximum repetitive peak
reverse voltage
VRRM
50
100
200
300
400
500
600
800
1000
V
Maximum RMS voltage
VRMS
35
70
140
210
280
350
420
560
700
V
Maximum DC blocking voltage
VDC
50
100
200
300
400
500
600
800
1000
V
Maximum average forward
rectified current 0.5" (12.5 mm)
lead length at TL = 105 °C
IF(AV)
3.0
A
Peak forward surge current
8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
IFSM
200
A
Maximum full load reverse
current, full cycle average
0.5" (12.5 mm) lead length
at TL = 105 °C
IR(AV)
500
μA
Operating junction and
storage temperature range
TJ, TSTG
- 50 to + 150
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5408-E3/54 | 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5419 | 3 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N5446A | 18 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-204AA |
| 1N5530A | 10 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N5618UL | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5402G | 功能描述:整流器 200V 3A Standard RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N5402-G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 VR=200V, IO=3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N5402G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:500 |
| 1N5402G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:500 |
| 1N5402G R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
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