型号: | 1N5402-E3/73 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 68K |
代理商: | 1N5402-E3/73 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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150K200APBF | 150 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AA |
152KR5AMPBF | 150 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
15CTQ040-017PBF | 15 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
15CTQ045-010PBF | 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
16F10S05PBF | 16 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N5402G | 功能描述:整流器 200V 3A Standard RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
1N5402-G | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 VR=200V, IO=3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
1N5402G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:500 |
1N5402G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:500 |
1N5402G R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R |