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参数资料
| 型号： | 1N5402G |
| 英文描述： | GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER |
| 中文描述： | 玻璃钝化整流结 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 220K |
| 代理商： | 1N5402G |
Note:
(1) Pulse test: Pulse width 300uSec, Duty cycle 1%
Symbols
1N
5400G
1N
5401G
1N
5402G
1N
5404G
1N
5406G
1N
5407G
1N
5408G
Units
Maximum repetitive peak reverse voltage
V
RRM
50
100
200
400
600
800
1000
Volts
Maximum RMS voltage
V
RMS
35
70
140
280
420
560
700
Volts
Maximum DC blocking voltage
V
DC
50
100
200
400
600
800
1000
Volts
Average forward current T
A=105
I
F(AV)
3.0
Amps
Peak forward surge current
8.3mS half sine-wave
I
FSM
200.0
Amps
Maximum instantaneous
I
FM=3.0A; TJ=25
forward voltage
(Note 1)
V
F
1.1
Volts
Maximum DC reverse current
T
J=25
at rated DC blocking voltage
T
J=125
I
R
5.0
50.0
A
Typical junction capacitance
Measure at 1.0MHz,
V
R=4.0V
C
J
40
F
Typical thermal resistance
R
JA
30
/W
Operating and storage temperature range
T
J, TSTG
-65 to +175
Features
1N5400G THRU 1N5408G
GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts
Forward Current - 3.0 Amperes
DIMENSIONS
DIM
inches
mm
Note
Min.
Max.
Min.
Max.
A
0.283
0.374
7.20
9.50
B
0.189
0.208
4.80
5.30
C
0.048
0.051
1.20
1.30
D
1.000
-
25.40
-
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @25 unless otherwise specified
1
Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-0
High temperature metallurgically bonded construction
Glass passivated cavity-free junction
Capable of meeting environmental standards of
MIL-S-19500
3.0 ampere operation at T
A=105
with no thermal runaway
Typical I
R less than 0.1
A
High temperature soldering guaranteed:
350 /10 seconds, 0.375 (9.5mm) lead length,
5 lbs. (2.3Kg) tension
Mechanical Data
Case: DO-201AD molded plastic over glass body
Terminals: Plated axial leads, solderable per
MIL-STD-750, method 2026
Polarity: Color band denotes cathode end
Mounting Position: Any
Weight: 0.042 ounce, 1.195 grams
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5406G | GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER |
| 1N5407G | GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER |
| 1N5441 | GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES |
| 1N5442 | GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES |
| 1N5443 | GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5402-G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 VR=200V, IO=3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N5402G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:500 |
| 1N5402G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:500 |
| 1N5402G R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
| 1N5402G R0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,250 |
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