参数资料
型号: 1N5402T-G
厂商: Comchip Technology
文件页数: 2/4页
文件大小: 80K
描述: RECTIFIER GP 200V 3.0A DO27
标准包装: 1,200
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 200V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1V @ 3A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5µA @ 200V
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-201AD,轴向
供应商设备封装: DO-201AD
包装: 带盒(TB)
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QW-BG015
REV:A
A
v
e
r
a
g
e
F
o
r
w
a
r
d
C
u
r
r
e
n
t
,
(
A
)
Ambient Temperature, (°C)
General Purpose Silicon Rectifiers
Fig.3 - Maximum Non-repetitive Forward
Surge
Curren
Per Bridge Element
P
e
a
k
F
o
r
w
a
r
d
S
u
r
g
e
C
u
r
r
e
n
t
,
(
A
)
Number of Cycles at 60Hz
Fig.2 - Typical Instantaneous
Forward
I
n
s
t
a
n
t
a
n
e
o
u
s
F
o
r
w
a
r
d
C
u
r
r
e
n
t
,
(
A
)
Instantaneous Forward Voltage, (V)
Rating and Characteristic Curves (1N5400-G Thru. 1N5408-G)
Fig.1 - Maximum
Forward Current
Derating Curve
0
0
1.0
2.0
3.0
25
50
75
100
125
150
Single phase half wave
60Hz
0.1
0.01
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
Resistive
or induct
ive load
0.375” (9.5mm) lead length
8.3ms
s
ingle
h
alf
s
ine-wave
(JEDEC
M
ethod)
Characteristics Per Bridge Element
10
50
100
200
TJ
=
25°C
Pulse
w
idth=300us
1%
D
uty
cy
cle
1
10
100
0
40
80
100
0
140
0.01
Percent
o
f Rated
P
eak Reverse
V
oltage, (V)
0.1
1.0
10.0
12
60
20
I
n
s
t
a
n
t
a
n
e
o
u
s
R
e
v
e
r
s
e
C
u
r
r
e
n
t
,
(
μ
A
)
TJ=25°C
Fig.4 - Typical Reverse Characteristics
Per Bridge Element
TJ=100°C
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PDF描述
1N5400T-G RECTIFIER GP 50V 3.0A DO27
CBL2012T2R2M INDUCTOR 2.2UH 20% 0805 SMD
45541C INDUCTOR 0.54UH 7A SMD SHIELDED
GEM18DSUS CONN EDGECARD 36POS DIP .156 SLD
ROL-1215S/H CONV DC/DC 0.50W 12VIN 15VOUT
相关代理商/技术参数
参数描述
1N5402-TP 功能描述:整流器 Standard 200V 3A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
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1N5403 _AY _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
1N5403 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bridge Rectifier