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参数资料
| 型号： | 1N5404-F |
| 厂商： | RECTRON LTD |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | 1N5404-F |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5404H36-1 | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5404M26 | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5404U21 | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5404U23 | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5406H32-1 | 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5404G | 功能描述:整流器 400V 3A Standard RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N5404-G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 VR=400V, IO=3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N5404G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:500 |
| 1N5404G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:500 |
| 1N5404G R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 400V 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
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