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参数资料
型号： 1N5404G-A
厂商： DIODES INC
元件分类： 参考电压二极管
英文描述： 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
文件页数： 1/1页
文件大小： 52K
代理商： 1N5404G-A
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PDF描述
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1N5404G-E 制造商:GULFSEMI 制造商全称:Gulf Semiconductor 功能描述:GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER VOLTAGE: 50V to 1000V CURRENT: 3.0A
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1N5404GHB0G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:500
1N5404GHR0G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,250
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