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参数资料
| 型号： | 1N5406GH33 |
| 厂商： | RECTRON LTD |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | 1N5406GH33 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5406GH34 | 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5406GM22 | 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5406GM28 | 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5406GU21 | 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5406GU22 | 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5406GHA0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:500 |
| 1N5406GHB0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:500 |
| 1N5406GHR0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:25pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,250 |
| 1N5406GM | 制造商:GULFSEMI 制造商全称:Gulf Semiconductor 功能描述:GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER VOLTAGE: 50V to 1000V CURRENT: 3.0A |
| 1N5406GP | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:3 Amp Glass Passivated Rectifier 50 - 1000 Volts |
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