型号: | 1N5406GH35 |
厂商: | RECTRON LTD |
元件分类: | 整流器 |
英文描述: | 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 63K |
代理商: | 1N5406GH35 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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1N5408G-F | 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
1N5408GM22 | 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
1F16-E | 0.5 A, 1600 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
1N5711 | SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
1.5KE100CAH32 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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1N5406GHA0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带盒(TB) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:500 |
1N5406GHB0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:500 |
1N5406GHR0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,250 |
1N5406GM | 制造商:GULFSEMI 制造商全称:Gulf Semiconductor 功能描述:GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER VOLTAGE: 50V to 1000V CURRENT: 3.0A |
1N5406GP | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:3 Amp Glass Passivated Rectifier 50 - 1000 Volts |