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参数资料
| 型号： | 1N5407/90-E3 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 330K |
| 代理商： | 1N5407/90-E3 |
1N5400 thru 1N5408
Document Number 88516
25-Aug-05
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
3
Package outline dimensions in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Characteristics
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0.01
0.1
10
100
1
Instantaneo
u
sF
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
InstantaneousForward Voltage (V)
TJ = 25 °C
Pulse Width = 300 s
1% Duty Cycle
020
60
40
100
80
Instantaneo
u
sR
e
v
erse
C
u
rrent
(
A)
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
0.01
0.1
100
1
10
TJ = 150 °C
TJ = 100 °C
TJ = 25 °C
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capacitance
(pF)
1
0.1
10
100
10
1
TJ = 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig = 50mVp-p
t, Pulse Duration (sec.)
T
ransient
Thermal
Impedance
(°
C
/W
)
0.1
0.01
1
10
100
10
1
0.1
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
Dia.
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
Dia.
1.0 (25.4)
Min.
0.375 (9.5)
0.285 (7.2)
1.0 (25.4)
Min.
DO-201AD
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