参数资料
型号: 1N5407G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 1/6页
文件大小: 115K
描述: DIODE STD REC 3A 800V DO-201AD
产品变化通告: DS Update for 1N5400 Series
标准包装: 500
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 800V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1V @ 3A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 800V
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-201AA,DO-27,轴向
供应商设备封装: 轴向
包装: 散装
其它名称: 1N5407GOS
?
Semiconductor Components Industries, LLC, 2008
May, 2008 ?
Rev. 10
1
Publication Order Number:
1N5400/D
1N5400 thru 1N5408
1N5404 and 1N5406 are Preferred Devices
Axial-Lead Standard
Recovery Rectifiers
Lead mounted standard recovery rectifiers are designed for use in
power supplies and other applications having need of a device with the
following features:
Features
?
High Current to Small Size
?
High Surge Current Capability
?
Low Forward Voltage Drop
?
Void?Free Economical Plastic Package
?
Available in Volume Quantities
?
Plastic Meets UL 94 V?0 for Flammability
?
These are Pb?Free Devices
Mechanical Characteristics:
?
Case: Epoxy, Molded
?
Weight: 1.1 Gram (Approximately)
?
Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal
Leads are Readily Solderable
?
Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes:
260°C Max. for 10 Seconds
?
Polarity: Cathode Indicated by Polarity Band
*For additional information on our Pb?Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
STANDARD RECOVERY
RECTIFIERS
50?1000 VOLTS
3.0 AMPERES
AXIAL LEAD
CASE 267?05
STYLE 1
Preferred
devices are recommended choices for future use
and best overall value.
A = Assembly Location
1N540x = Device Number
x = 0, 1, 2, 4, 6, 7 or 8
YY = Year
WW = Work Week
= Pb?Free Package
MARKING DIAGRAM
A
1N
540x
YYWW
See detailed ordering and shipping information on page 5 of
this data sheet.
ORDERING INFORMATION
http://onsemi.com
(Note: Microdot may be in either location)
相关PDF资料
PDF描述
TH3B155K035F4200 CAP TANT 1.5UF 35V 10% 1411
REC3-4815SRW/H2/A/M/SMD-R CONV DC/DC 3W 36-72VIN 15VOUT
P51-50-G-H-MD-4.5OVP-000-000 SENSOR 50PSI M12-1.5 6G .5-4.5V
EEM12DRTS CONN EDGECARD 24POS DIP .156 SLD
P51-75-A-R-I36-4.5V-000-000 SENSOR 75PSI M12-1.0 6G .5-4.5V
相关代理商/技术参数
参数描述
1N5407-G 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 VR=800V, IO=3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
1N5407G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1
1N5407G B0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:500
1N5407G R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
1N5407G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr,F 时的电容:25pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD,轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,250