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参数资料
| 型号： | 1N5408GP |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 1N5408GP |
21201 Itasca St.
Chatsworth, CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax:
(818) 701-4939
1N5400GP
thru
1N5408GP
3 Amp Glass
Passivated Rectifier
50 - 1000 Volts
DO-201AD
Features
Low Current Leakage
Metalurgically Bonded Construction
Low Forward Voltage
High Current Capability
Glass Passivated Junction
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
---
.370
---
9.50
B
---
.250
---
6.40
C
.048
.052
1.20
1.30
D
1.000
---
25.40
---
Maximum Ratings
Operating Temperature: -65
°C to +175°C
Storage Temperature: -65
°C to +175°C
Maximum Thermal Resistance; 30
°C/W Junction To Lead
Microsemi
Part Number
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
Maximum
RMS Voltage
Maximum DC
Blocking
Voltage
1N5400GP
50V
35V
50V
1N5401GP
100V
70V
100V
1N5402GP
200V
140V
200V
1N5404GP
400V
280V
400V
1N5406GP
600V
420V
600V
1N5407GP
800V
560V
800V
1N5408GP
1000V
700V
1000V
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
IF(AV)
3.0A
TA = 105
°C
Peak Forward Surge
Current
IFSM
200A
8.3ms, half sine
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
VF
1.1V
IFM = 3.0A;
TJ = 25
°C*
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
IR
5.0
A
50
A
TJ = 25
°C
TJ = 125
°C
Typical Junction
Capacitance
CJ
40pF
Measured at
1.0MHz, VR=4.0V
*Pulse test: Pulse width 300
sec, Duty cycle 1%
A
B
C
D
Cathode
Mark
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5400G | 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5406G | 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5400TR | 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5401BK | 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 1N5401TR | 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5408GP-E3/54 | 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AD，轴向 供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-50°C ~ 150°C 标准包装:1,400 |
| 1N5408GPT | 制造商:CHENMKO 制造商全称:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:JUNCTION PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 - 1000 Volts CURRENT 3 Amperes |
| 1N5408GP-TP | 功能描述:DIODE STD REC 3A 1000V DO-201AD RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| 1N5408G-T | 功能描述:整流器 3.0A 1000V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N5408K | 制造商:DIOTEC 制造商全称:Diotec Semiconductor 功能描述:Si-Rectifiers - Si-Gleichrichter |
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