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参数资料
| 型号： | 1N5475C |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | VHF-UHF BAND, 82 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | 1N5475C |
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PDF描述 |
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| 1N4787C | 8.2 pF, 28 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
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| 1.5KE170PRL | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 1N5518 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SCHOTTKY RECTIERS SILICON RECTIFIER DIODES |
| 1N5518_03 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS |
| 1N5518-1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:LOW VOLTAGE AVALANCHE DIODES DO-35 |
| 1N5518A | 制造商: 功能描述:Zener Diode, Two Terminal, 3.3 Volt, 10%, DO-35 |
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