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参数资料
| 型号： | 1N5519B |
| 英文描述： | LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS |
| 中文描述： | 低的反向漏电特性 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | 1N5519B |
1N5518 thru 1N5546D
INCLUDING -1 VERSIONS
.1
.2
.5
1
2
5
10
20
50
100
OPERATING CURRENT IZT (mA)
FIGURE 3
ZENER IMPEDANCE VS. OPERATING CURRENT
ZENER
IMPEDANCE
Z
ZT
(OHMS)
1000
500
400
300
200
100
50
40
30
20
10
5
4
3
2
1
400
300
200
100
0
JL,
Junction
to
Lead
Thermal
Resistance
(°C/W)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
L, lead Length to Heat Sink (inches)
FIGURE 2
TYPICAL THERMAL RESISTANCE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5519 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 1N5520B-1 | MSTB 2,5/20-ST |
| 1N5520 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 1N5521B-1 | LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS |
| 1N5521B | LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5519B (DO35) | 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:24 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 |
| 1N5519B(DO35) | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Low Voltage Avalanche Zener |
| 1N5519B-1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW |
| 1N5519BTR-1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
| 1N5519BUR | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW |
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