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参数资料
| 型号： | 1N5526B |
| 英文描述： | LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS |
| 中文描述： | 低的反向漏电特性 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | 1N5526B |
1N5518 thru 1N5546D
INCLUDING -1 VERSIONS
.1
.2
.5
1
2
5
10
20
50
100
OPERATING CURRENT IZT (mA)
FIGURE 3
ZENER IMPEDANCE VS. OPERATING CURRENT
ZENER
IMPEDANCE
Z
ZT
(OHMS)
1000
500
400
300
200
100
50
40
30
20
10
5
4
3
2
1
400
300
200
100
0
JL,
Junction
to
Lead
Thermal
Resistance
(°C/W)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
L, lead Length to Heat Sink (inches)
FIGURE 2
TYPICAL THERMAL RESISTANCE
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 1N5526B(DO35) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Low Voltage Avalanche Zener |
| 1N5526B-1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW |
| 1N5526BTR-1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
| 1N5526BUR | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW |
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