参数资料
型号: 1N5546CO
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 33 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装: DIE-1
文件页数: 1/1页
文件大小: 54K
代理商: 1N5546CO
相关PDF资料
PDF描述
1N5683B 10 pF, 45 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7
1N5693 68 pF, 45 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7
1N5698A 10 pF, 65 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7
1N5698BCO 10 pF, 65 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
1N5706 47 pF, 65 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7
相关代理商/技术参数
参数描述
1N5550 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 200V 5A 2-Pin Case E 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STD RECOVERY RECTFR 200V 5A 2PIN E - Bulk 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:STANDARD DIODE 3A 200V AXIA 制造商:Semtech Corporation 功能描述:1N5550 Series 200 V 5 A Hermetically Sealed Standard Recovery Rectifier Diode 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:STANDARD DIODE, 3A, 200V, AXIAL; Diode Type:Standard Recovery; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:200V; Forward Current If(AV):3A; Forward Voltage VF Max:1V; Forward Surge Current Ifsm Max:100A ;RoHS Compliant: Yes 制造商:Microsemi 功能描述:Diode Switching 200V 5A 2-Pin Case E
1N5550/4 功能描述:整流器 3.0 Amp 200 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
1N5550C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1
1N5550-E3/51 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Diode Switching 200V 3A 2-Pin Case G-4 Bulk
1N5550-E3/54 功能描述:整流器 3.0 Amp 200 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel