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参数资料
| 型号： | 1N5552 |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | 1N5552 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5187 | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N4761A-T/R | 75 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N5951B-T/B | 120 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N4745A-T/R | 16 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 1N4006R-T/R | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5552/4 | 功能描述:整流器 3.0 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N5552/TR | 功能描述:STD RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 9A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:B，轴向 供应商器件封装:B，轴向 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:100 |
| 1N5552C.TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:92pF @ 5V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 供应商器件封装:轴向 工作温度 - 结:- 标准包装:1 |
| 1N5552-E3/54 | 功能描述:整流器 3.0 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N5552JANTX | 制造商:Semtech Corporation 功能描述:Diode Switching 600V 5A 2-Pin Case G-4 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STD RECTIFIER (TRR MORE THAN 500NS) E SD 制造商:Semtech 功能描述:Diode Switching 600V 5A 2-Pin Case G-4 |
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