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参数资料
| 型号： | 1N5554S |
| 厂商： | SENSITRON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 132K |
| 代理商： | 1N5554S |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5614S | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N5615US | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N5616S | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N5617V | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N5617X | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5554US | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 1KV 5A 2-Pin E-MELF 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STD RECOVERY RECTFR 1.1KV 5A 2PIN E-MELF - Bulk 制造商:Microsemi 功能描述:Diode Switching 1KV 5A 2-Pin E-MELF |
| 1N5554US/TR | 功能描述:STD RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.3V @ 9A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF，E 供应商器件封装:D-5B 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:100 |
| 1N5555 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode TVS Single Uni-Dir 30.5V 1.5KW 2-Pin DO-13 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DO-13 SD - Bulk |
| 1N5555JAN | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
| 1N5555JANTX | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode TVS Single Uni-Dir 30.5V 1.5KW 2-Pin DO-13 |
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