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参数资料
| 型号： | 1N5557 |
| 厂商： | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 封装： | HERMETIC SEALED, METAL GLASS, DO-13, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | 1N5557 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 15KP26A | 15000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 15KP48A | 15000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 100HFR160PV | 100 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 100HF80MV | 100 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 100HFR80MV | 100 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5557JANTX | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
| 1N5558 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DO-13 SD - Bulk |
| 1N5568B | 制造商:Semiconductors 功能描述: |
| 1N5569B | 制造商:Misc 功能描述: |
| 1N5572B | 制造商:Misc 功能描述: |
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