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参数资料
| 型号： | 1N555 |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.5 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-4 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 398K |
| 代理商： | 1N555 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N1406 | 0.125 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N1407 | 0.125 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N1408 | 0.125 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N1730 | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N2378 | 0.25 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5550 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 200V 5A 2-Pin Case E 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:STD RECOVERY RECTFR 200V 5A 2PIN E - Bulk 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:STANDARD DIODE 3A 200V AXIA 制造商:Semtech Corporation 功能描述:1N5550 Series 200 V 5 A Hermetically Sealed Standard Recovery Rectifier Diode 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:STANDARD DIODE, 3A, 200V, AXIAL; Diode Type:Standard Recovery; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:200V; Forward Current If(AV):3A; Forward Voltage VF Max:1V; Forward Surge Current Ifsm Max:100A ;RoHS Compliant: Yes 制造商:Microsemi 功能描述:Diode Switching 200V 5A 2-Pin Case E |
| 1N5550/4 | 功能描述:整流器 3.0 Amp 200 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N5550C.TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 |
| 1N5550-E3/51 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Diode Switching 200V 3A 2-Pin Case G-4 Bulk |
| 1N5550-E3/54 | 功能描述:整流器 3.0 Amp 200 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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