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参数资料
| 型号： | 1N5616X |
| 厂商： | SENSITRON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | 1N5616X |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 1N5811S | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N5811X | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N6102A | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 1N5617 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 400V 1A 2-Pin Case A 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:FAST RECOVERY RECTFR 400V 1A 2PIN A - Bulk 制造商:Semtech Corporation 功能描述:Diode Switching 400V 2A 2-Pin Case G-2 制造商:Microsemi 功能描述:Diode Switching 400V 1A 2-Pin Case A |
| 1N5617/1 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 1.0 Amp 400 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| 1N5617/4 | 功能描述:整流器 1.0 Amp 400 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 1N5617C.TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 2A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:27pF @ 5V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:轴向 供应商器件封装:轴向 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 |
| 1N5617-E3/54 | 功能描述:整流器 1.0 Amp 400 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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